SAMSUNG（三星）在2018年底推出的QLC闪存架构的三星860 QVO固态硬盘，860 QVO基于三星V-NAND 4bit MLC，也就3D QLC，是一种4bit 多层单元NAND闪存架构，力求以更低价格提供更大容量。
全新的860 QVO SSD使用常用的SATA 6Gbps接口和2.5英寸外形，三星最新的MJX控制器集成了Intelligent TurboWrite技术，并根据容量不同具备42GB起步的SLC Cache。860 QVO具有550MB/s和520MB/s的顺序读取和写入速度。随机读取97000 IOPS、随机写入89000 IOPS。不过需要看到的是写入速度基于SLC Cache，质保时间和总写入量对比其他闪存版本也有了降低。
